Ваша корзина ждет товаров

Главная » Все новости

SK Hynix анонсировала первые в мире микросхемы LPDDR4X-4266 8 Гбайт

13.01.2017

SK Hynix официально представила первые в мире сборки памяти LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения. Новые микросхемы памяти (dynamic random access memory, DRAM) не только обладают увеличенной производительностью и сниженным энергопотреблением шины, но и отличаются уменьшенными размерами. Заинтересованные стороны уже получили образцы микросхем LPDDR4X от SK Hynix, а первые устройства на базе нового типа памяти появятся на рынке в ближайшие месяцы.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

LPDDR4X представляет собой новый стандарт оперативной памяти для мобильных устройств, который базируется на LPDDR4, но обеспечивает снижение энергопотребление подсистемы памяти примерно на 18–20% за счёт снижения напряжение питания шины (VDDQ) до 0,6 Вольт (на 45 %). Все остальные характеристики LPDDR4 (LP4) и LPDDR4X (LP4X) идентичны: внутренняя тактовая частота микросхем 200~266 МГц, предварительная выборка 16n и т. д. Память типа LPDDR4X уже поддержана рядом разработчиков мобильных систем на кристалле (system-on-chip, SoC). Так, MediaTek Helio P20 стал первым мобильным процессором, совместимым с LP4X. Он был анонсирован примерно год назад и первые устройства на его базе появятся в первой половине 2017 года. Кроме того, новый флагманский SoC компании Qualcomm, Snapdragon 835, также поддерживает LP4X. Учитывая, что Snapdragon 835 был анонсирован в ноябре, первые устройства на его базе появятся ещё не скоро.

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти SK Hynix LPDDR4X использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 34,1 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Новые модули памяти типа LPDDR4X поставляются в корпусах FGBA размером 12 × 12,7 мм, которые на 30 % меньше корпусов LPDDR4 размером 15 × 15 мм. Сборки SK Hynix LP4X могут быть использованы как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package).

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4X

H9HKNNNFBUMUH9HKNNNFBMMUDRH9HKNNNEBMMUERH9HKNNNEBMAUDR
Ёмкость микросхемы памяти16 Гбит12 Гбит
Количество микросхем памяти4
Ёмкость сборки8 Гбайт (64 Гбит)6 Гбайт (48 Гбит)
Скорость передачи данных4266 Мтрансферов/с3733 Мтрансферов/с
Ширина шины64 разряда48 разрядов
Пропускная способность сборки34,1 Гбайт/с29,8 Гбайт/с
УпаковкаFBGAFBGA-376FBGA-366FBGA-376
Размеры12 мм × 12,7 мм
Напряжение питания1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс21 нм
Время доступности2017

SK Hynix не заявляет точных значений энергопотребления сборок памяти LPDDR4X, но подтверждает, что вследствие снижения напряжения питания шины на 45 % энергопотребление подсистемы памяти в целом упало на 20 % в сравнении с энергопотреблением гипотетической подсистемы памяти LPDDR4, работающей на той же тактовой частоте в одинаковых условиях. Подобное описание не слишком точно, поскольку микросхемы LPDDR4 SK Hynix поддерживают максимальную скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с. Если предложить, что производитель никак не оптимизировал архитектуру самих ячеек памяти у микросхем LPDDR4X по сравнению с предшественниками, но лишь снизил напряжение питания шины до 0,6 Вольта, то подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4X-4266 должна потреблять чуть меньше мощности, чем подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4-3733, но точные данные на сегодняшний день неизвестны.

SK Hynix использует свой 21-нм технологический процесс для изготовления памяти типа LPDDR4 и LPDDR4X. Таким образом, с точки зрения технологии производства, чипы SK Hynix LP4X очень похожи на своих собратьев типа LP4, а энергопотребление самих ячеек памяти идентично.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Первоначально SK Hynix будет предлагать исключительно модули LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт со скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с на основе микросхем памяти 16 Гбит. Чуть позже компания расширит семейство сборками ёмкостью 6 и 8 Гбайт со скоростями 3733 Мтрансферов/с (уже присутствуют в каталоге продукции) и 3200 Мтрансферов/с. Впоследствии SK Hynix может представить модули LPDDR4X на основе 8-Гбит микросхем, однако такие планы пока упоминаются лишь в официальном блоге компании. Модули памяти LPDDR4X относительно небольшой ёмкости имеют большой потенциал на рынке, поскольку далеко не все смартфоны (и планшеты) будут оснащаться 8 Гбайт ОЗУ в этом году. По оценкам аналитиков из IHS Markit, средний телефон высокого ценового класса будет экипироваться 3,5 Гбайт оперативной памяти (имеются в виду аппараты с 2, 3, 4, 6 и 8 Гбайт памяти). При этом стоит помнить, что требования к объёму ОЗУ у Apple iOS и Google Android существенно отличаются, смартфоны на базе последней требуют больше DRAM, и Android-аппараты с 4 Гбайт оперативной памяти станут весьма распространёнными в этом году. Что касается устройств на базе iOS, то флагманские iPhone 7 и iPhone 7 Plus оснащены лишь 2 и 3 Гбайт памяти соответственно.

По заявлениям компании, производство модулей памяти LPDDR4X-4266 8 Гбайт уже началось. Мобильные устройства на базе новой памяти, как ожидается, появятся на рынке в ближайшие месяцы, и весьма вероятно, что производители могут продемонстрировать свою продукцию на основе MediaTek Helio P20 и LPDDR4X на выставке MWC уже в феврале.

Источники:

Каталог предложений

    Сравнение товаров

    Список сравнения пуст

    Наши сертификаты